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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设施供水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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